T1G4020036-FS

T1G4020036-FS
Mfr. #:
T1G4020036-FS
Produttore:
Qorvo
Descrizione:
RF JFET Transistors DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
T1G4020036-FS Scheda dati
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Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
TriQuint (Qorvo)
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Confezione
Vassoio
Alias ​​parziali
1111631
Tecnologia
GaN SiC
Tipo a transistor
HEMT
Guadagno
16 dB
Potenza di uscita
260 W
Frequenza operativa
3.5 GHz
Polarità del transistor
Canale N
Tags
T1G402, T1G4, T1G
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QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
T1G4020036-FS
DISTI # 772-T1G4020036-FS
QorvoRF JFET Transistors DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
RoHS: Compliant
0
  • 25:$554.0000
Immagine Parte # Descrizione
T1G4020036-FL

Mfr.#: T1G4020036-FL

OMO.#: OMO-T1G4020036-FL

RF JFET Transistors DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
T1G4020036-FS

Mfr.#: T1G4020036-FS

OMO.#: OMO-T1G4020036-FS

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T1G4020036-FL

Mfr.#: T1G4020036-FL

OMO.#: OMO-T1G4020036-FL-318

RF JFET Transistors DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
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OMO.#: OMO-T1G4020036-FS-318

RF JFET Transistors DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
T1G4020036-FL-EVB

Mfr.#: T1G4020036-FL-EVB

OMO.#: OMO-T1G4020036-FL-EVB-1152

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1
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831,00 USD
10
789,45 USD
7 894,50 USD
100
747,90 USD
74 790,00 USD
500
706,35 USD
353 175,00 USD
1000
664,80 USD
664 800,00 USD
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