IXKC25N80C

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

800 V

Id - Corrente di scarico continua:

25 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

150 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

180 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

CoolMOS, ISOPLUS

Confezione:

Tubo

Altezza:

16 mm

Lunghezza:

11 mm

Serie:

IXKC25N80

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza CoolMOS

Larghezza:

5 mm

Marca:

IXYS

Tempo di caduta:

10 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

25 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

75 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

25 ns

Unità di peso:

0.012346 oz

Tags

IXKC2, IXKC, IXK