RFD8P05SM96

RFD8P05SM96
Mfr. #:
RFD8P05SM96
Produttore:
HARTING Technology Group
Descrizione:
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
RFD8P05SM96 Scheda dati
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RFD8P05SM9, RFD8P05S, RFD8P05, RFD8P0, RFD8P, RFD8, RFD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
RFD8P05SM96HARTING Technology Group 
RoHS: Not Compliant
750
    Immagine Parte # Descrizione
    RFD8P05

    Mfr.#: RFD8P05

    OMO.#: OMO-RFD8P05

    MOSFET TO-251AA P-Ch Power
    RFD8P03L

    Mfr.#: RFD8P03L

    OMO.#: OMO-RFD8P03L-1190

    Nuovo e originale
    RFD8P05

    Mfr.#: RFD8P05

    OMO.#: OMO-RFD8P05-ON-SEMICONDUCTOR

    MOSFET P-CH 50V 8A I-PAK
    RFD8P05SM (TO-251)

    Mfr.#: RFD8P05SM (TO-251)

    OMO.#: OMO-RFD8P05SM-TO-251--1190

    Nuovo e originale
    RFD8P05SM9A

    Mfr.#: RFD8P05SM9A

    OMO.#: OMO-RFD8P05SM9A-1190

    Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
    RFD8P06

    Mfr.#: RFD8P06

    OMO.#: OMO-RFD8P06-1190

    Nuovo e originale
    RFD8P06ESM9A

    Mfr.#: RFD8P06ESM9A

    OMO.#: OMO-RFD8P06ESM9A-1190

    (Alt: RFD8P06ESM9A)
    RFD8P06LE

    Mfr.#: RFD8P06LE

    OMO.#: OMO-RFD8P06LE-1190

    Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
    RFD8P06LESM

    Mfr.#: RFD8P06LESM

    OMO.#: OMO-RFD8P06LESM-1190

    8 A, 60 V, 0.33 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
    RFD8P06LESM9A

    Mfr.#: RFD8P06LESM9A

    OMO.#: OMO-RFD8P06LESM9A-1190

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