PMT200EPEX

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

70 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

167 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

15.9 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

8.3 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Marca:

Nexperia

Transconduttanza diretta - Min:

13.5 S

Tempo di caduta:

20 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

42 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6 ns

Tags

PMT200EP, PMT200, PMT20, PMT2, PMT