BSL215C H6327

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSOP-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

108 mOhms, 102 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

700 mV, 1.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

730 pC, - 3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW (1/2 W)

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

3 mm

Serie:

BSL215

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Larghezza:

1.5 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

4 S, 4.5 S

Tempo di caduta:

1.4 ns, 14 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7.6 ns, 9.7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

6.8 ns, 14.5 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.1 ns, 6.7 ns

Parte # Alias:

BSL215CH6327XTSA1 SP001101000

Unità di peso:

0.000529 oz

Tags

BSL215CH, BSL215C, BSL215, BSL21, BSL2, BSL