PSMN1R9-40PLQ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

150 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.4 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.7 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

230 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

349 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Tubo

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Nexperia

Tempo di caduta:

119 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

118 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

195 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

95 ns

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

PSMN1R9, PSMN1R, PSMN1, PSMN, PSM