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T2G6000528-Q3

T2G6000528-Q3
Mfr. #:
T2G6000528-Q3
Produttore:
Qorvo
Descrizione:
RF JFET Transistors DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
T2G6000528-Q3 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
T2G6000528-Q3 maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Qorvo
Categoria di prodotto:
Transistor RF JFET
RoHS:
Y
Tipo di transistor:
HEMT
Tecnologia:
GaN SiC
Guadagno:
15 dB
Polarità del transistor:
Canale N
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
-
Vgs - Tensione di rottura gate-source:
-
Id - Corrente di scarico continua:
650 mA
Potenza di uscita:
10 W
Tensione massima della porta di drenaggio:
-
Temperatura di esercizio minima:
-
Temperatura massima di esercizio:
-
Pd - Dissipazione di potenza:
12.5 W
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Confezione:
Vassoio
Applicazione:
Radar militare, comunicazioni radio professionali e militari
Configurazione:
Separare
Frequenza operativa:
DC to 6 GHz
Serie:
T2G
Marca:
Qorvo
Transconduttanza diretta - Min:
-
Kit di sviluppo:
T2G6000528-Q3-EVB1, T2G6000528-Q3-EVB3, T2G6000528-Q3-EVB5
Sensibile all'umidità:
sì
Tipologia di prodotto:
Transistor RF JFET
Quantità confezione di fabbrica:
100
sottocategoria:
transistor
Parte # Alias:
1099997
Tags
T2G6000528-Q, T2G6000, T2G6, T2G
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, DC to 6 GHz, 10W, 13.5 dB, 28 V, GaN
T2G GaN HEMT Transistors
QorvoT2G GaN HEMT Transistors are 15W to 30W (P3dB) discrete GaN on SiC HEMT which operate from DC to 3.5GHz and 6.0GHz. These devices are constructed with Qorvo's proven TQGaN25 process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.Learn More
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
T2G6000528-Q3
DISTI # 772-T2G6000528-Q3		QorvoRF JFET Transistors DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
RoHS: Compliant		291
  • 1:$80.4000
  • 25:$68.0500
  • 100:$57.6000
T2G6000528-Q3 28V
DISTI # 772-T2G6000528-Q328V		QorvoRF JFET Transistors DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN
RoHS: Compliant		75
  • 1:$80.4000
  • 25:$68.0500
  • 100:$57.6000
T2G6000528-Q3EVB3
DISTI # 772-T2G6000528-Q3EV		QorvoRF Development Tools 3-3.3GHz Eval Board
RoHS: Compliant		2
  • 1:$875.0000
T2G6000528-Q3, EVAL BOARD
DISTI # 772-T2G6000528-Q3EB		QorvoRF Development Tools DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN Eval Brd
RoHS: Compliant		0
  • 1:$875.0000
Immagine Parte # Descrizione
SE5023L-R

Mfr.#: SE5023L-R

OMO.#: OMO-SE5023L-R

 RF Amplifier 5.15-5.85GHz Gain 32dB P1dB 34dBm
SN65LVDT41QPWREP

Mfr.#: SN65LVDT41QPWREP

OMO.#: OMO-SN65LVDT41QPWREP

 LVDS Interface IC Mil Enhance MemStick Intercon Ext Chipset
2N7002LT1G

Mfr.#: 2N7002LT1G

OMO.#: OMO-2N7002LT1G

 MOSFET 60V 115mA N-Channel
BOOST-CC2564MODA

Mfr.#: BOOST-CC2564MODA

OMO.#: OMO-BOOST-CC2564MODA

 Bluetooth Development Tools (802.15.1) Bluetooth HCI module Booster
EWK212BJ106MD-T

Mfr.#: EWK212BJ106MD-T

OMO.#: OMO-EWK212BJ106MD-T-TAIYO-YUDEN

 CAP CER 10UF 16V X5R 0508
SN65LVDT41QPWREP

Mfr.#: SN65LVDT41QPWREP

OMO.#: OMO-SN65LVDT41QPWREP-TEXAS-INSTRUMENTS

 LVDS Interface IC Mil Enhance MemStick Intercon Ext Chipset
2N7002LT1G

Mfr.#: 2N7002LT1G

OMO.#: OMO-2N7002LT1G-ON-SEMICONDUCTOR

 MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
CRGP0805F1K0

Mfr.#: CRGP0805F1K0

OMO.#: OMO-CRGP0805F1K0-TE-CONNECTIVITY-AMP

 RES, 1K, 1%, 0.33W, 0805, THICK FILM
BOOST-CC2564MODA

Mfr.#: BOOST-CC2564MODA

OMO.#: OMO-BOOST-CC2564MODA-TEXAS-INSTRUMENTS

 BLUETOOTH® CC2564 BOOSTERPACK™ BOARD
XAL4030-332MEC

Mfr.#: XAL4030-332MEC

OMO.#: OMO-XAL4030-332MEC-1190

 Fixed Inductors 3.3uH 20% 6.6A 28.6mOhms AEC-Q200
Disponibilità
Azione:
236
Su ordine:
2219
Inserisci la quantità:
Il prezzo attuale di T2G6000528-Q3 è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
80,40 USD
80,40 USD
25
68,05 USD
1 701,25 USD
100
57,60 USD
5 760,00 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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