CZT2680

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-4

Polarità del transistor:

NPN

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

200 V

Collettore-tensione di base VCBO:

250 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

135 mV

Corrente massima del collettore CC:

1.5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

80 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

CZT2680

Confezione:

Bobina

Marca:

Semiconduttore centrale

Guadagno base/collettore DC hfe min:

15

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Nome depositato:

Power223

Parte # Alias:

CZT2680 TR

Unità di peso:

0.003951 oz

Tags

CZT2, CZT