FJP3307DH2TU

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

400 V

Collettore-tensione di base VCBO:

700 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

9 V

Corrente massima del collettore CC:

8 A

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Altezza:

9.65 mm (Max)

Lunghezza:

10.67 mm (Max)

Confezione:

Tubo

Larghezza:

4.83 mm (Max)

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Guadagno base/collettore DC hfe min:

26

Pd - Dissipazione di potenza:

80000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

FJP3307DH2TU_NL

Unità di peso:

0.080072 oz

Tags

FJP3307, FJP33, FJP3, FJP