2N329A

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-5-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 30 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 20 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.6 V

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 165 C

Confezione:

Borsa di alluminio

Marca:

Microchip / Microsemi

Corrente continua del collettore:

- 100 mA

Pd - Dissipazione di potenza:

250 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

transistor

Tags

2N32, 2N3