FF225R12ME4PB11BPSA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Moduli IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Prodotto:

Moduli di silicio IGBT

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1.2 kV

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.85 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

225 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

400 nA

Pd - Dissipazione di potenza:

20 mW

Pacchetto/custodia:

152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Vassoio

Marca:

Tecnologie Infineon

Stile di montaggio:

Premi Fit

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Tipologia di prodotto:

Moduli IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

6

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

FF225R12ME4P_B11 SP001505410

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