AFV141KHR5

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

2.6 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

- 500 mV, 105 V

Guadagno:

17.7 dB

Potenza di uscita:

1 kW

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

NI-1230H-4S-4

Confezione:

Bobina

Frequenza operativa:

1.2 GHz to 1.4 GHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Marca:

NXP / Freescale

Numero di canali:

2 Channel

Pd - Dissipazione di potenza:

910 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 6 V, 10 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.8 V

Parte # Alias:

935320646178

Unità di peso:

0.465355 oz

Tags

AFV141KH, AFV14, AFV1, AFV