HN4K03JUTE85LF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-353-5

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

100 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

8 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Configurazione:

Dual

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2 mm

Serie:

HN4K03

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

Toshiba

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

0.15 us

Tempo di ritardo di accensione tipico:

0.16 us

Unità di peso:

0.000212 oz

Tags

HN4K03JUTE85LF, HN4K03JUT, HN4K, HN4