ES6U1T2R

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-563T-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P, SBD

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

12 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

190 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

2.4 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

800 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

ES6U1

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

1.4 S

Tempo di caduta:

9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10 ns

Quantità confezione di fabbrica:

8000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

30 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8 ns

Parte # Alias:

ES6U1

Unità di peso:

0.000106 oz

Tags

ES6U1, ES6U, ES6