IXFH52N30Q

IXFH52N30Q
Mfr. #:
IXFH52N30Q
Produttore:
Littelfuse
Descrizione:
MOSFET 300V 52A
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
IXFH52N30Q Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
IXFH52N30Q maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
IXYS
categoria di prodotto
FET - Single
Serie
HiPerFET
Confezione
Tubo
Unità di peso
0.229281 oz
Stile di montaggio
Foro passante
Nome depositato
HyperFET
Pacchetto-Custodia
TO-247-3
Tecnologia
si
Temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Foro passante
Numero di canali
1 Channel
Pacchetto-dispositivo-fornitore
TO-247AD (IXFH)
Configurazione
Separare
Tipo FET
MOSFET N-Channel, ossido di metallo
Potenza-Max
360W
Tipo a transistor
1 N-Channel
Drain-to-Source-Voltage-Vdss
300V
Ingresso-Capacità-Ciss-Vds
5300pF @ 25V
Funzione FET
Standard
Corrente-Continuo-Scarico-Id-25°C
52A (Tc)
Rds-On-Max-Id-Vgs
60 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs-th-Max-Id
4V @ 4mA
Gate-Carica-Qg-Vgs
150nC @ 10V
Pd-Power-Dissipazione
360 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Tempo di caduta
25 ns
Ora di alzarsi
60 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
20 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
52 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
300 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
60 mOhms
Polarità del transistor
Canale N
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
80 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
27 ns
Transconduttanza diretta-Min
35 S
Modalità canale
Aumento
Tags
IXFH52N3, IXFH52, IXFH5, IXFH, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 300V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
***ment14 APAC
MOSFET, N, TO-247
***ark
Mosfet, N, To-247; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:300V; Continuous Drain Current Id:52A; On Resistance Rds(On):0.06Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4Vrohs Compliant: Yes
Electrical Vehicle DC Fast Chargers
DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
IXFH52N30Q
DISTI # V36:1790_17756072
IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH Si 300V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
RoHS: Compliant
10
  • 510:$8.9680
  • 120:$10.6070
  • 30:$11.6540
  • 1:$13.6110
IXFH52N30Q
DISTI # IXFH52N30Q-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 300V 52A TO-247AD
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube
111In Stock
  • 510:$8.7725
  • 120:$10.2850
  • 30:$11.1927
  • 1:$13.3100
IXFH52N30Q
DISTI # 31280049
IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH Si 300V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
RoHS: Compliant
10
  • 1:$13.6110
IXFH52N30Q
DISTI # 38K3176
IXYS CorporationMOSFET, N, TO-247,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:52A,Drain Source Voltage Vds:300V,On Resistance Rds(on):0.06ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:4V,Power Dissipation Pd:360W,MSL:-RoHS Compliant: Yes60
    IXFH52N30Q
    DISTI # 747-IXFH52N30Q
    IXYS CorporationMOSFET 300V 52A
    RoHS: Compliant
    0
    • 1:$15.3100
    • 10:$13.9200
    • 25:$12.8700
    • 50:$11.8400
    • 100:$11.5500
    • 250:$10.5900
    • 500:$9.6100
    IXFH52N30Q
    DISTI # 7347952
    IXYS CorporationMOSFET, N, TO-247
    RoHS: Compliant
    60
    • 100:£8.8200
    • 50:£9.0300
    • 10:£9.6300
    • 5:£11.4500
    • 1:£11.8600
    IXFH52N30Q
    DISTI # 7347952
    IXYS CorporationMOSFET, N, TO-247
    RoHS: Compliant
    60
    • 510:$15.3900
    • 120:$18.0400
    • 30:$19.6300
    • 1:$23.3400
    Immagine Parte # Descrizione
    IXFH52N50P2

    Mfr.#: IXFH52N50P2

    OMO.#: OMO-IXFH52N50P2

    MOSFET PolarP2 Power MOSFET
    IXFH52N30Q

    Mfr.#: IXFH52N30Q

    OMO.#: OMO-IXFH52N30Q

    MOSFET 300V 52A
    IXFH50N20

    Mfr.#: IXFH50N20

    OMO.#: OMO-IXFH50N20

    MOSFET DIODE Id50 BVdass200
    IXFH50N50P3

    Mfr.#: IXFH50N50P3

    OMO.#: OMO-IXFH50N50P3-IXYS-CORPORATION

    MOSFET N-CH 500V 50A TO-247
    IXFH50N85X

    Mfr.#: IXFH50N85X

    OMO.#: OMO-IXFH50N85X-IXYS-CORPORATION

    850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS
    IXFH52N30P3

    Mfr.#: IXFH52N30P3

    OMO.#: OMO-IXFH52N30P3-1190

    Nuovo e originale
    IXFH52N50P2

    Mfr.#: IXFH52N50P2

    OMO.#: OMO-IXFH52N50P2-IXYS-CORPORATION

    Darlington Transistors MOSFET PolarP2 Power MOSFET
    IXFH58N20Q

    Mfr.#: IXFH58N20Q

    OMO.#: OMO-IXFH58N20Q-IXYS-CORPORATION

    MOSFET 200V 58A
    IXFH52N30Q

    Mfr.#: IXFH52N30Q

    OMO.#: OMO-IXFH52N30Q-IXYS-CORPORATION

    MOSFET 300V 52A
    IXFH52N30P

    Mfr.#: IXFH52N30P

    OMO.#: OMO-IXFH52N30P-IXYS-CORPORATION

    IGBT Transistors MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Rds
    Disponibilità
    Azione:
    Available
    Su ordine:
    3500
    Inserisci la quantità:
    Il prezzo attuale di IXFH52N30Q è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
    Prezzo di riferimento (USD)
    Quantità
    Prezzo unitario
    est. Prezzo
    1
    14,42 USD
    14,42 USD
    10
    13,69 USD
    136,94 USD
    100
    12,97 USD
    1 297,35 USD
    500
    12,25 USD
    6 126,40 USD
    1000
    11,53 USD
    11 532,00 USD
    A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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