TK9J90E,S1E

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-3P(N)-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

900 V

Id - Corrente di scarico continua:

9 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.3 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

46 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

250 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Altezza:

20 mm

Lunghezza:

15.5 mm

Serie:

TK9J90E

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.5 mm

Marca:

Toshiba

Tempo di caduta:

35 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

40 ns

Quantità confezione di fabbrica:

25

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

140 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

80 ns

Unità di peso:

0.245577 oz

Tags

TK9J, TK9