IXTA110N055T7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-7

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

55 V

Id - Corrente di scarico continua:

110 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

7 mOhms

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

230 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Tubo

Altezza:

4.7 mm

Lunghezza:

10.2 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

9.4 mm

Marca:

IXYS

Tempo di caduta:

24 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

30 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

40 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

20 ns

Unità di peso:

0.056438 oz

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IXTA110N055T, IXTA110N0, IXTA11, IXTA1, IXTA, IXT