SQ3585EV-T1_GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSOP-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.57 A, 2.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

49 mOhms, 140 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

600 mV, 1.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

2.5 nC, 3.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.67 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Serie:

SQ

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

10 S, 3 S

Tempo di caduta:

8 ns, 14 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

15 ns, 16 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

22 ns, 29 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9 ns, 7 ns

Tags

SQ35, SQ3