2SD1805G-TL-E

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

20 V

Collettore-tensione di base VCBO:

60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.5 V

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

120 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2SD1805

Guadagno di corrente CC hFE Max:

560

Confezione:

Bobina

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

5 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

120

Pd - Dissipazione di potenza:

15 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

700

sottocategoria:

transistor

Tags

2SD1805G, 2SD1805, 2SD180, 2SD18, 2SD1, 2SD