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A3G35H100-04SR3

A3G35H100-04SR3
Mfr. #:
A3G35H100-04SR3
Produttore:
NXP Semiconductors
Descrizione:
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3600 MHz, 14 W Avg., 48 V
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
A3G35H100-04SR3 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
A3G35H100-04SR3 maggiori informazioni A3G35H100-04SR3 Product Details
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
NXP
Categoria di prodotto:
Transistor MOSFET RF
RoHS:
Y
Polarità del transistor:
Doppio canale N
Tecnologia:
si
Id - Corrente di scarico continua:
8.04 mA
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
125 V
Guadagno:
14 dB
Potenza di uscita:
14 W
Temperatura di esercizio minima:
- 55 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
NI-780S-4L
Confezione:
Bobina
Frequenza operativa:
3400 MHz to 3600 MHz
Tipo:
MOSFET di potenza RF
Marca:
Semiconduttori NXP
Numero di canali:
2 Channel
Tipologia di prodotto:
Transistor MOSFET RF
Quantità confezione di fabbrica:
250
sottocategoria:
MOSFET
Vgs - Tensione Gate-Source:
- 8 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:
- 2.3 V
Parte # Alias:
935368927128
Tags
A3G
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
Airfast® Third-Generation Power Amplifiers
NXP Semiconductors Airfast® Third-Generation Power Amplifiers provide the best in class performance for the critical parameters that include efficiency, gain, RF power, and signal bandwidth. The Airfast third-generation technology reduces the footprint required to deliver specific RF output power. These amplifiers include 28V and 48V LDMOS transistors. The Airfast third-generation amplifiers are designed for the asymmetrical Doherty amplifier architectures. These amplifiers feature high efficiency, reduced solution size, thermal performance, and operate at wideband frequency. The Airfast third-generation amplifiers support all global cellular standards including LTE and NR for 5G. These amplifiers reduce both the size of cellular base stations and the installation costs.
RF Power GaN Portfolio
NXP Semiconductors RF Power Gallium Nitride (GaN) Portfolio provides state of the art linearizability and RF performance that enables 5G deployment. These transistors offer solutions for cellular infrastructure, defense, and industrial markets. The GaN transistors provide wideband performance and high-frequency operation. These transistors feature end-to-end applications, solution support, and high-volume production. The GaN transistors come with advanced GaN on SiC technology that offers high power density. These transistors are designed for cellular base station applications.
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
A3G35H100-04SR3
DISTI # A3G35H100-04SR3		Avnet, Inc.Trans RF FET 125VDC 4-Pin NI-780S T/R - Tape and Reel (Alt: A3G35H100-04SR3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 250
Container: Reel		Americas - 0
  • 2500:$46.6900
  • 1500:$47.5900
  • 1000:$49.3900
  • 500:$51.3900
  • 250:$53.4900
A3G35H100-04SR3
DISTI # 58AC6127		NXP SemiconductorsAIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR, 3400-3600 MHZ, 14 W AVG., 48 V TR0
  • 100:$45.9400
  • 50:$48.8800
  • 25:$49.6200
  • 10:$50.3500
  • 5:$51.8200
  • 1:$53.2900
A3G35H100-04SR3
DISTI # 771-A3G35H100-04SR3		NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors A3G35H100-04S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
RoHS: Compliant		0
  • 250:$49.6200
A3G35H100-04SR3
DISTI # A3G35H100-04SR3		NXP SemiconductorsRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant		0
  • 250:$55.1200
Immagine Parte # Descrizione
A3G35H100-04SR3

Mfr.#: A3G35H100-04SR3

OMO.#: OMO-A3G35H100-04SR3

 RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3600 MHz, 14 W Avg., 48 V
A3G35H100-04SR3

Mfr.#: A3G35H100-04SR3

OMO.#: OMO-A3G35H100-04SR3-1152

 Trans RF FET 125VDC 4-Pin NI-780S T/R - Tape and Reel (Alt: A3G35H100-04SR3)
Disponibilità
Azione:
Available
Su ordine:
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Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
60,64 USD
60,64 USD
5
59,28 USD
296,40 USD
10
56,96 USD
569,60 USD
25
55,13 USD
1 378,25 USD
100
51,09 USD
5 109,00 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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