FQB13N10LTM

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

12.8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

142 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

3.75 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

4.83 mm

Lunghezza:

10.67 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

9.65 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

9.5 S

Tempo di caduta:

72 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

220 ns

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

22 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.5 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

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