FDW258P

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSSOP-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

12 V

Id - Corrente di scarico continua:

9 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

11 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.3 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

4.4 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

3 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

50 S

Tempo di caduta:

23 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

23 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

201 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

17 ns

Unità di peso:

0.005573 oz

Tags

FDW258, FDW25, FDW2, FDW