SH8M13GZETB

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOP-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

6 A, 7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

22 mOhms, 21.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V, 2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

5 nC, 18 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

2.5 S, 6 S

Tempo di caduta:

7 ns, 65 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

16 ns, 40 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

30 ns, 80 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8 ns, 12 ns

Parte # Alias:

SH8M13

Tags

SH8M13, SH8M1, SH8M, SH8