STP8NK100Z

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1 kV

Id - Corrente di scarico continua:

6.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.85 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

73 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

160 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

SuperMESH

Confezione:

Tubo

Altezza:

9.15 mm

Lunghezza:

10.4 mm

Serie:

STP8NK100Z

Tipo di transistor:

1 N-Channel MOSFET

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

4.6 mm

Marca:

STMicroelectronics

Transconduttanza diretta - Min:

7 S

Tempo di caduta:

30 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

19 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

59 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

28 ns

Unità di peso:

0.011640 oz

Tags

STP8NK1, STP8NK, STP8N, STP8, STP