IXFN180N25T

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Montaggio su telaio

Pacchetto/custodia:

SOT-227-4

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

250 V

Id - Corrente di scarico continua:

168 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

12.9 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

364 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

900 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Tubo

Altezza:

12.22 mm

Lunghezza:

38.23 mm

Serie:

IXFN180N25

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza GigaMOS

Larghezza:

25.42 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

90 S

Tempo di caduta:

20 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

52 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

88 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

35 ns

Unità di peso:

1.058219 oz

Tags

IXFN18, IXFN1, IXFN, IXF