2SB1203S-H

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-251-3

Polarità del transistor:

NPN, PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

220 mV, - 280 mV

Corrente massima del collettore CC:

8 A, - 8 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

180 MHz, 130 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2SB1203

Confezione:

Massa

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

5 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

70

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

2SB1203S, 2SB1203, 2SB120, 2SB12, 2SB1, 2SB