STD12N60M2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

9 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

395 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

-

Qg - Carica cancello:

16 nC

Temperatura di esercizio minima:

-

Temperatura massima di esercizio:

-

Pd - Dissipazione di potenza:

85 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

MDmesh

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.4 mm

Lunghezza:

6.2 mm

Prodotto:

MOSFET di potenza

Serie:

STD12N60M2

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MDmesh M2

Larghezza:

6.6 mm

Marca:

STMicroelectronics

Transconduttanza diretta - Min:

-

Tempo di caduta:

-

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

-

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

-

Tempo di ritardo di accensione tipico:

-

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

STD12N60, STD12N6, STD12N, STD12, STD1, STD