SISS23DN-T1-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerPAK-1212-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

50 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

900 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

300 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

57 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET, PowerPAK

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.04 mm

Lunghezza:

3.3 mm

Serie:

SIS

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

3.3 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

44 S

Tempo di caduta:

50 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

50 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

140 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

45 ns

Tags

SISS23, SISS2, SISS, SIS