2SD1862TV2R

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

32 V

Collettore-tensione di base VCBO:

40 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

2 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

100 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

180 at 500 mA, 3 V

Altezza:

4.4 mm

Lunghezza:

6.8 mm

Confezione:

Pacchetto munizioni

Larghezza:

2.5 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Corrente continua del collettore:

2 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

180

Pd - Dissipazione di potenza:

1000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

Tags

2SD1862T, 2SD1862, 2SD186, 2SD18, 2SD1, 2SD