MMBTA56LT1G-HFE

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 80 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 80 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 4 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 0.25 V

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

50 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

MMBTA56L

Confezione:

Bobina

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

0.5 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

100

Pd - Dissipazione di potenza:

225 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

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