BSS123T-HF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Tecnologia Comchip

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

190 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

5.6 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

100 V

Qg - Carica cancello:

2.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

300 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Stile di terminazione:

SMD/SMT

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Tecnologia Comchip

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

15.2 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

10.2 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.2 ns

Tags

BSS123T, BSS123, BSS12, BSS1, BSS