TGF2018

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Qorvo

Categoria di prodotto:

Transistor RF JFET

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

pHEMT

Tecnologia:

GaAs

Guadagno:

14 dB

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

8 V

Vgs - Tensione di rottura gate-source:

- 15 V

Id - Corrente di scarico continua:

58 mA

Tensione massima della porta di drenaggio:

12 V

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

640 mW

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Confezione:

Confezione di gel

Configurazione:

Separare

Frequenza operativa:

20 GHz

Intervallo operativo di temperatura:

- 65 C to + 150 C

Prodotto:

RF JFET

Serie:

TGF

Tipo:

GaAs pHEMT

Marca:

Qorvo

Transconduttanza diretta - Min:

70 mS

NF - Figura di rumore:

1 dB

P1dB - Punto di compressione:

22 dBm

Tipologia di prodotto:

Transistor RF JFET

Quantità confezione di fabbrica:

100

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

1098412

Tags

TGF20, TGF2, TGF