SQ1470AEH-T1_GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

45 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

600 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

5.2 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

3.3 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

2.1 mm

Serie:

SQ

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

14 S

Tempo di caduta:

8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

13 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

14 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns

Unità di peso:

0.000265 oz

Tags

SQ1470A, SQ1470, SQ147, SQ14, SQ1