DMP3010LPSQ-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerDI5060-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

36 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

5.7 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

126.2 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.26 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Serie:

DMP3010

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

99.3 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

9.4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

260.7 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11.4 ns

Unità di peso:

0.003386 oz

Tags

DMP3010, DMP301, DMP30, DMP3, DMP