NTLJD3183CZTBG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

WDFN-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

4.7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

100 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

4.6 nC, 5.2 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.75 mm

Lunghezza:

2 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Larghezza:

2 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

7 S, 6.5 S

Tempo di caduta:

14 ns, 12.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5.5 nS, 9 nS

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

15 nS, 14 nS

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6.2 nS, 6.6 nS

Tags

NTLJD318, NTLJD3, NTLJD, NTLJ, NTL