2N3906T93

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

40 V

Collettore-tensione di base VCBO:

40 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

0.2 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

250 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

60 at 100 uA, 1 V

Altezza:

4.8 mm

Lunghezza:

4.8 mm

Confezione:

Pacchetto munizioni

Larghezza:

3.7 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Guadagno base/collettore DC hfe min:

60

Pd - Dissipazione di potenza:

300 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.016000 oz

Tags

2N3906T, 2N3906, 2N390, 2N39, 2N3