2N3583

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-66-2

Polarità del transistor:

NPN

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

175 V

Collettore-tensione di base VCBO:

250 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

10 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Serie:

2N3583

Confezione:

Tubo

Marca:

Semiconduttore centrale

Corrente continua del collettore:

1 A

Pd - Dissipazione di potenza:

35 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2N3583 PBFREE

Unità di peso:

0.206000 oz

Tags

2N3583, 2N358, 2N35, 2N3