FDG6301N

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-323-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

25 V

Id - Corrente di scarico continua:

220 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4 Ohms

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

300 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

2 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

FDG6301N

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Tipo:

FET

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

0.2 S

Tempo di caduta:

4.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

4 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5 ns

Parte # Alias:

FDG6301N_NL

Unità di peso:

0.000988 oz

Tags

FDG6301N, FDG6301, FDG630, FDG63, FDG6, FDG