NTMFD5C446NLT1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

145 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.65 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

54 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

125 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

138 S

Tempo di caduta:

15.2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

16.8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

34.9 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

14.8 ns

Tags

NTMFD5C4, NTMFD5, NTMFD, NTMF, NTM