2N6714

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

T

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-237

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

30 V

Collettore-tensione di base VCBO:

40 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.5 V

Corrente massima del collettore CC:

2 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

500 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2N6714

Guadagno di corrente CC hFE Max:

60 at 100 mA, 1 V

Altezza:

5.33 mm

Lunghezza:

5.21 mm

Confezione:

Massa

Larghezza:

4.19 mm

Marca:

Semiconduttore centrale

Guadagno base/collettore DC hfe min:

60

Pd - Dissipazione di potenza:

1000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2N6714 BK

Tags

2N6714, 2N671, 2N67, 2N6