EFC6605R-TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

WLCSP-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

10 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

13.3 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

19.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.6 W

Configurazione:

Dual

Confezione:

Bobina

Serie:

EFC6605R

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Tempo di caduta:

60800 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

678 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

44400 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

154 ns

Unità di peso:

0.002328 oz

Tags

EFC6605, EFC660, EFC6, EFC