BSO211P H

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

4.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

54 mOhms, 54 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

- 10 nC, - 10 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.75 mm

Lunghezza:

4.9 mm

Serie:

BSO211

Tipo di transistor:

2 P-Channel

Larghezza:

3.9 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

8 S, 8 S

Tempo di caduta:

27 ns, 27 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

13 ns, 13 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

23 ns, 23 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9 ns, 9 ns

Parte # Alias:

BSO211PHXUMA1 SP000613844

Tags

BSO211PH, BSO211, BSO21, BSO2, BSO