SSM6K403TU,LF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

UF-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

4.2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

66 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

350 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

16.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW (1/2 W)

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.7 mm

Lunghezza:

2 mm

Serie:

SSM6K403

Tipo di transistor:

1 N-channel

Larghezza:

1.7 mm

Marca:

Toshiba

Transconduttanza diretta - Min:

10 S

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

32 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

18 ns

Unità di peso:

0.000247 oz

Tags

SSM6K40, SSM6K4, SSM6K, SSM6, SSM