FDD3510H

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-5

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

80 V

Id - Corrente di scarico continua:

4.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

80 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

3.1 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

PowerTrench

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.39 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Serie:

FDD3510H

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tempo di caduta:

2 ns, 5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

2 ns, 3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

16 ns, 25 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7 ns, 6 ns

Unità di peso:

0.009184 oz

Tags

FDD35, FDD3, FDD