SQ1464EEH-T1_GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

440 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.41 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

450 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

4.1 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

0.43 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

5.5 S

Tempo di caduta:

7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

21 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

8 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12 ns

Tags

SQ14, SQ1