MTD5P06VT4GV

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

340 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.8 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

15 V

Qg - Carica cancello:

12 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

40 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

3.6 S

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

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