FQB8N60CTM-WS

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.75 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.2 Ohms

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Altezza:

4.83 mm

Lunghezza:

10.67 mm

Serie:

QFET

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

9.65 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

MOSFET

Parte # Alias:

FQB8N60CTM_WS

Tags

FQB8N60CT, FQB8N60C, FQB8N6, FQB8N, FQB8, FQB