DMT10H015LFG-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerDI3333-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

42 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

13.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

33.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

PowerDI

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.8 mm

Lunghezza:

3.3 mm

Serie:

DMT10

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

3.3 mm

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

8.1 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

19.7 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6.5 ns

Unità di peso:

0.002540 oz

Tags

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