DMN63D8LDWQ-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

220 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.8 Ohms, 2.8 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

800 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

870 pC, 870 pC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

300 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Serie:

DMN63

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

80 mS, 80 mS

Tempo di caduta:

6.3 ns, 6.3 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3.2 ns, 3.2 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

12 ns, 12 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.3 ns, 3.3 ns

Unità di peso:

0.000265 oz

Tags

DMN63D8LD, DMN63D8, DMN63D, DMN63, DMN6, DMN