DMC3021LSDQ-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

8.5 A, 7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

14 mOhms, - 30 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

16.1 nC, 21.1 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 100 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Serie:

DMC302

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

8.1 S, 7 S

Tempo di caduta:

8.55 ns, 22.2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.5 ns, 6.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

26.3 ns, 50.1 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5 ns, 10.1 ns

Unità di peso:

0.002610 oz

Tags

DMC3021LS, DMC3021, DMC302, DMC30, DMC3, DMC